Samsung réalise des progrès importants dans la fabrication de sa nouvelle technologie de mémoire DRAM de sixième génération, appelée 1C DRAM. Selon des rapports récents, Les taux de réussite en production atteignent déjà entre 50% et 70%une amélioration significative par rapport aux niveaux inférieurs à 30% enregistrés l’année dernière. Ces réalisations sont ajoutées aux améliorations réalisées dans ses 2 nanomètres que Macron veut qu’ils soient fabriqués en France.
Contrairement à d’autres fabricants, comme SK Hynix et Micronqui maintient la technologie DRAM 1B pour leurs modules HBM4, Samsung a décidé de parier sur un design plus innovant avec 1C DRAM. Bien que cette stratégie implique plus de risques en termes de développement, l’amélioration des rendements de production ouvre la porte à une fabrication plus efficace déjà à grande échelle.
Pour profiter de ces avancées, Samsung prévoit d’élargir la capacité de production dans ses usines de Hwaseong et Pyeongtaek, avec les travaux d’expansion prévus de commencer avant la fin de l’année. Ceci est également aligné sur ses plans pour démarrer la production de masse de modules HBM4 à la fin de 2025.
Bien qu’il soit encore en phases initiales, l’évolution de cette technologie est suivie de près par des spécialistes. À l’origine, Samsung espérait commencer la fabrication en masse de ce DRAM en 2024, mais a choisi de repenser la puce pour obtenir de meilleurs résultats, ce qui a provoqué un délai de plus d’un an.
Les nouvelles puces DRAM se produiront dans le Línea 4 de la plante de Pyeongtakdestiné aux appareils mobiles et serveurs. D’un autre côté, une production de mémoire HBM4 spécifique sera effectuée à la ligne 3 du même complexe industriel.
