Sur les appareils, l’intelligence artificielle est sur le point de recevoir un nouveau « boost » significatif après l’annonce de nouveaux composants de plus en plus performants conçus pour équiper les smartphones qui feront leurs débuts au cours des prochains mois et les prochaines années.
Sk Hynix est prêt à faire un pas important en avant, avec la présentation de sa nouvelle solution de stockage UFS 4.1 basée sur NAND à 321 Lower Technology, la plus élevée au monde, qui ne promet pas seulement d’élever la barre de performance pour les futurs smartphones supérieurs, mais lance également un défi direct à Samsung, l’un des leaders incontestables du Sector Memories.
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Les nouveaux souvenirs SK Hynix UFS 4.1 sont un concentré de vitesse et d’innovation au service de l’IA
SK Hynix a officiellement annoncé le développement de sa solution UFS (Universal Flash Storage) 4.1, qui adopte la cellule NAND Flash 4D Triple Level (TLC) de 1 To à 321 couches, actuellement la plus stratifiée au monde pour les applications mobiles.
Cette étape a été conçue spécifiquement pour les besoins croissants de l’intelligence artificielle sur les appareils (celle intégrée dans l’appareil), où des performances élevées et une faible consommation d’énergie sont fondamentales pour un fonctionnement stable et réactif.
Les spécifications sont claires: le nouvel UFS 4.1 de SK Hynix atteint une vitesse de lecture séquentielle allant jusqu’à 4 300 Mo / s. Il s’agit de la vitesse de lecture séquentielle la plus élevée pour une mémoire UFS de quatrième génération. Mais ce n’est pas tout, car la société déclare également une amélioration significative de la performance de la lecture et de l’écriture aléatoire, respectivement de 15% et 40% de plus que la génération précédente.
Ces derniers sont des paramètres cruciaux pour le multitâche et la fluidité générale du système d’exploitation et des applications, en particulier en ce qui concerne le travail lié à l’IA.
La comparaison avec Samsung: un dépassement (marginal mais significatif)
Sur le marché des souvenirs de l’UFS compétitifs pour les smartphones, Samsung est depuis longtemps un point de référence. Ses solutions UFS 4.0, utilisées dans les meilleurs produits, offrent des vitesses de lecture et d’écriture qui atteignent respectivement 4 200 Mo / si 2 800 Mo / s, sur la base d’un bâtiment V-Nand à 176 couches.
Avec ses 4 300 Mo / s en lecture séquentielle, le nouvel UFS 4.1 de SK Hynix est donc positionné légèrement devant la solution la plus rapide actuellement proposée par Samsung.
Bien que la différence en termes de MB / s puisse sembler minime, c’est la technologie qui sous-tend une étape importante: les 321 couches du SK Hynix Nand contre les 176 couches de Samsung indiquent un progrès significatif de la densité et de la sophistication de la production.
Non seulement la vitesse: l’efficacité énergétique et l’efficacité de conception « ultra-clien »
Les nouvelles introduites par SK Hynix avec son UFS 4.1 ne se limitent pas à la vitesse pure: dans le communiqué de presse officiel, la société sud-coréenne a également accordé une grande attention à l’efficacité énergétique et aux dimensions physiques de la puce, les aspects de plus en plus cruciaux dans la conception des smartphones modernes, par exemple, pensent que des appareils tels que le tout nouveau Samsung Galaxy S25 Edge.
La nouvelle solution UFS 4.1 offre une amélioration de 7% de l’efficacité énergétique par rapport à la génération précédente de SK Hynix, basée sur NAND à 238 couche. Dans l’acte pratique, cela signifie moins de consommation de batteries en vertu des mêmes performances, un détail non progressivement pour les appareils qui ont toujours été appelés à équilibrer l’énergie et l’autonomie.
Par rapport au passé, l’épaisseur du nouveau produit a également été réduite: nous parlons de 0,15 mm de moins, atteignant seulement 0,85 mm par rapport au millimètre précédent. Cette réduction de 15% de l’épaisseur est fondamentale pour l’intégration dans les smartphones avec une conception « ultra-sul », une tendance qui, comme nous l’avons mentionné précédemment, est de plus en plus répandue en haut du marché de la gamme.
Comme le souligne SK Hynix, même si ces améliorations peuvent sembler mineures individuellement, sur le marché extrêmement concurrentiel des smartphones, chaque peu des comptes d’innovation.
À cet égard, Ahn Hyun, président et directeur du développement de SK Hynix, a déclaré ce qui suit:
Nous sommes sur la bonne voie pour étendre notre position en tant que fournisseur complet de mémoires dans l’espace NAND en construisant un portefeuille de produits avec un avantage technologique AI.
La société prévoit en fait de terminer le développement de SSD en fonction de la même technologie NAND 4D à 321 couches, destinée au marché des consommateurs et des centres de données, complète également le développement des SSD.
Disponibilité et nouveaux souvenirs SK Hynix
SK Hynix prévoit de fournir son nouvel UFS 4.1 en deux coupes de capacités: 512 Go et 1 To. En ce qui concerne le calendrier, la société vise à obtenir la qualification des clients produisant des smartphones d’ici la fin de l’année en cours et prévoit de commencer les expéditions en volumes à partir du premier trimestre de l’année prochaine (donc au premier trimestre 2026).
