Les deux principaux fabricants de mémoire de Corée du Sud se préparent à lancer leurs modules LPDDR6 de nouvelle génération. SK Hynix et Samsung présenteront leurs solutions respectives lors de l’International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2026, qui se tiendra du 15 au 19 février à San Francisco. L’événement est la principale vitrine pour montrer le Des avancées majeures dans la conception du siliciumet les deux entreprises arrivent avec leurs devoirs terminés.
SK hynix commercialisera des modules de 16 Go capables d’atteindre des transferts de 14,4 Gbps par broche, fabriqués avec son procédé de génération 1c (également appelé 1γ), qui correspond à la sixième itération de sa technologie DRAM 10 nm. Cette vitesse correspond aux limites maximales fixées par JEDEC pour LPDDR6, ce qui suggère que la société pourrait préparer des versions LPDDR6X overclockées dans un avenir proche.
Samsung améliore ses chiffres depuis le CES
Samsung a mis à jour les spécifications de sa mémoire LPDDR6 par rapport à ce qui a été présenté au CES 2026 il y a quelques semaines. Les modules qu’il présentera fonctionnent désormais à 12,8 Gbps, une vitesse sensiblement plus rapide que les 10,7 Gbps de l’annonce initiale. La société fabrique cette mémoire selon un processus de 12 nm, légèrement plus grand que le nœud 10 nm de SK hynix, mais prétend atteindre un Amélioration de 21 % de l’efficacité énergétique par rapport à la génération précédente LPDDR5X.
Les deux fabricants intègrent les fonctionnalités standard du LPDDR6. Le plus important est le suivi intégré du nombre d’activations de lignes, une première absolue pour n’importe quel standard DRAM. Ce mécanisme combat directement les attaques Row Hammer en surveillant à la fois les activations du contrôleur et de la puce mémoire, plutôt que de s’appuyer uniquement sur une atténuation basée sur le rafraîchissement comme le faisaient les générations précédentes.
La nouvelle norme introduit également des métadonnées intégrées directement dans les paquets de données au lieu d’utiliser des broches dédiées, permettant une correction complète des erreurs à la fois sur la puce et sur la liaison. De plus, le LPDDR6 prend en charge la mise à l’échelle dynamique de tension et de fréquence sur trois rails de tension contre deux pour le LPDDR5, ainsi que des modes d’efficacité qui peuvent doubler la densité des appareils tout en réduisant la consommation d’énergie d’entrée et de sortie.
