Zhitai présente le SSD TiPlus 7100s, la technologie Xtacking 4.0 avec 294 cellules NAND 3D et jusqu'à 7 400 Mo/s sans cache DRAM

Zhitai présente le SSD TiPlus 7100s, la technologie Xtacking 4.0 avec 294 cellules NAND 3D et jusqu’à 7 400 Mo/s sans cache DRAM

La Chine dispose d’un grande chaîne d’approvisionnement afin de ne pas dépendre des autres pays, du moins en termes de fabrication de composants électroniques. Malgré le veto dont elle souffre de la part des États-Unis, où l’accès aux technologies de pointe est restreint, la Chine a technologies avancées comme celui présent dans le dernier SSD Zhitaiqui possède la technologie Xtacking 4.0 3D NAND de YMTC.

Technologie Xtacking 4.0 dans le dernier SSD présenté par Zhitai

Ce nouvel album SSD Zhitai TiPlus 7100s Il dispose d’une connectivité et de la technologie PCIe 4.0 Xtacking 4.0 3D NAND. Cela confère au SSD des performances d’E/S plus élevées, une plus grande fiabilité des données et une densité plus élevée par rapport à la génération précédente. Zhitai est une filiale de YMTCqui a su profiter de la quatrième version de cette technologie, qui rend Utilisation de cellules flash TLC 3D NAND de 5e générationavec une densité de 294 couches et technologie de liaison hybride entre la mémoire et les tableaux logiques.

Geeknetic Zhitai présente le SSD TiPlus 7100s, la technologie Xtacking 4.0 avec des cellules NAND 3D à 294 couches et jusqu'à 7 400 Mo/s sans cache DRAM 2

Utilise des cellules flash 3D TLC NAND avec 294 couches

Ces disques SSD Ils n’ont pas de cache DRAMmais cela ne les empêche pas de proposer des vitesses de lecture maximales pour ce bus, avec 7 400 Mo/s en lecture et 6 900 Mo/s en écriture. De plus, les performances aléatoires sont également plus élevées avec 1 500 000 IOPS en lecture comme en écriture, soit jusqu’à 66 % de plus en lecture et 114 % en écriture par rapport au TiPlus 7100 (modèle précédent).

Geeknetic Zhitai présente le SSD TiPlus 7100s, technologie Xtacking 4.0 avec cellules NAND 3D à 294 couches et jusqu'à 7 400 Mo/s sans cache DRAM 3

Jusqu’à 7 400 Mo/s en lecture et 6 900 Mo/s en écriture sans cache DRAM

Le constructeur a également annoncé la résistance de ce modèle TiPlus 7100s, avec 600TBW pour le modèle 1 To, 1 200 TWW pour le 2 To et 2 400 TWW pour celui de 4 To. Ces 3 capacités sont disponible dans la boutique officielle sur JD.com qui ont un prix de 659, 1 099 et 1 999 yuans, soit approximativement la différence 80, 133 et 242 euros respectivement.

Nous vous laissons le spécifications complètes de modèles avec différentes capacités.

Capacité

Lecture aléatoire

Écriture aléatoire

Résistance (TBW)

1 To

1 500 000 IOPS

1 500 000 IOPS

600TBW

2 To

1 400 000 IOPS

1 500 000 IOPS

1 200 TBW

4 To

1 200 000 IOPS

1 500 000 IOPS

2 400 TWW

Spécifications communes

  • Format: M.2 2280
  • Type de mémoire NAND : Xtacking® 4.0 TLC (Mémoire du Yangtze / YMTC)
  • Interface: PCIe Gen4 x4, NVMe 2.0
  • Vitesse de lecture séquentielle : 7400 Mo/s
  • Vitesse d’écriture séquentielle : 6900 Mo/s
  • Temps moyen entre les pannes (MTBF) : 1,5 million d’heures
  • Garantie: 5 ans
  • Logiciel de gestion : Logiciel de gestion SSD ZhiTai TiMaster
  • Contenu du paquet :
    • SSD x1
    • Jeu de vis x1
    • Manuel x1

Florian Owens

Florian Owens

Florian Owens est journaliste spécialisé en nouvelles technologies et rédacteur pour Comparatel.fr. Passionné par l'univers du numérique et des télécommunications, il accompagne depuis plusieurs années les consommateurs dans leur choix de forfaits mobiles et d'abonnements internet.